碳化硅(SiC)半导体的材料性能和表征方法
2024-02-11一、材料性能 碳化硅（SiC）半导体是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高频率特性以及高抗辐射能力等优点，因此在高温、高频、大功率和高压等特殊领域中具有广泛的应用前景。 1. 物理性能：碳化硅具有高熔点和高沸点，化学性能稳定，具有优良的化学惰性。 2. 机械性能：碳化硅具有高硬度，耐磨性好，是理想的半导体材料。 3. 电学性能：碳化硅的带隙宽且稳定，具有高击穿电压和低导通电阻，是制作高温集成电路的理想材料。 二、表征方法 为了全面了解碳化硅半导体的性能，需要采用多种表征方法，包括
碳化硅MOSFET出货量突破1200万只
2024-02-10近日，中国新能源汽车生产量突破2000万辆大关，中国电科国基南方、55所研制的650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1200万只，实现大批量稳定供货，为我国新能源汽车产业链供应链安全提供了有力保障。 碳化硅MOSFET能够让整车性能大幅提升，基于碳化硅的新一代新能源汽车平台，可以使充电速度提高5-10倍，续航里程提高8%以上，损耗降低50%。国基南方、55所致力于推进新能源汽车用碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，打通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，率先在新能源
碳化硅MOSFET:Stellantis 电动汽车芯片的关键
2024-02-10在全球第三大汽车制造商 Stellantis，一个半导体元件正引领着电动汽车市场的创新潮流，那就是碳化硅 (SiC) MOSFET。此半导体元件在Stellantis的电动汽车中发挥着核心作用，不仅提升了电池性能，还为驾驶者提供了更加智能、更加环保的体验。 SiC MOSFET 的优势在于其独特的材料特性。碳化硅是一种优良的半导体材料，它的带隙宽且导热性能优良，这些特性使得 SiC MOSFET 能够承受更高的电压和温度，同时降低能量损耗。此外，SiC 还具有更高的热稳定性和化学稳定性，使得其
碳化硅(SiC)半导体的制备工艺和制造技术
2024-02-10碳化硅（SiC）半导体以其优越的性能和广泛的应用前景，逐渐成为半导体产业的重要一员。本文将介绍碳化硅半导体的制备工艺和制造技术。 一、制备工艺 碳化硅半导体的制备主要分为三个步骤：原料制备、高温烧结和后处理。 1. 原料制备：碳化硅半导体的制备通常需要高质量的原料，如碳化硅颗粒、金属硅等。这些原料需要经过严格的筛选和清洗，以确保其纯度和一致性。 2. 高温烧结：高温烧结是制备碳化硅半导体的重要步骤。在高温环境下，原料中的碳化硅颗粒会逐渐结合，形成具有导电性的碳化硅晶体。这一过程需要控制温度、气
瞻芯电子车规碳化硅(SiC)MOSFET,正式开启量产交付
2024-02-09近日，瞻芯电子官微表示，其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅 SiC MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式开启量产交付。 据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一
碳化硅SiC与硅基半导体的比较和优势
2024-02-09在半导体材料领域，碳化硅（SiC）和硅（Si）是两种重要的化合物半导体材料。它们各自具有独特的性能特点，适用于不同的应用领域。本文将对比这两种材料，并探讨碳化硅的优势。 首先，硅基半导体是当前应用最广泛的半导体材料，具有成本低、产量高、技术成熟等优点。然而，硅基半导体在高频、高温和高温高频率等恶劣环境下性能较差，限制了其在某些领域的应用。 相比之下，碳化硅具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压和更高的高温性能，使其在恶劣环境下表现出更好的性能。此外，碳化硅的导热率也远高于硅基半导体，这使得它在功
碳化硅(SiC)半导体的基本性质和应用领域
2024-02-08一、基本性质 碳化硅（SiC）半导体是一种宽禁带半导体材料，具有高导热性、高强度和良好的化学稳定性。碳化硅的能带结构独特，使其在高温、高压和高频率等恶劣环境下具有出色的性能。其带隙宽度可高达2.3电子伏特，这使得它在制作高温电子器件和太阳能电池等领域具有显著优势。 二、应用领域 1. 电力电子：碳化硅在电力电子设备中广泛应用，如逆变器、变流器和高频开关电源等。由于其高导热性和耐高温特性，碳化硅二极管和晶闸管在高温环境下具有出色的性能，大大提高了设备的效率和可靠性。 2. 太阳能电池：碳化硅太阳
碳化硅SIC MOSFET替代传统
2024-02-07碳化硅SIC MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。 相对应于传统MOSFET以及IGBT有以下优点： ╱ 高工作频率 ╱ 传统MOSFET工作频率在60KHZ左右，而碳化硅MOSFET在1MHZ 用途：高频工作，可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积，降低电源成本，让电源实现小型化，美观化。从而实现电源的升级换代。 ╱ 低导通阻抗 ╱ 碳化硅MOSFET单管最小内阻可以达到15毫欧，这对于传统的MOSFET看来是不可想象的。 用途：轻松达
2023 碳化硅SiC功率半导体市场分析:中国大陆主要厂商业
2024-02-07根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 碳化硅SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体碳化硅SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。 与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。 TrendForce集邦咨询表示，碳化硅Si
英飞凌Sic碳化硅可靠性介绍
2024-02-07SiC MOSFET 因材料独特的物理特性，会出现与Si器件不同的衰减特性，因此原有的硅基IGBT的可靠性测试项目并不能完全涵盖碳化硅器件的需求。因此，英飞凌开发了针对SiC MOSFET的独有可靠性测试标准，包括500kHz开关频率下进行栅极应力测试（GSS），交流-湿度和温度循环试验（即AC-HTC）。 英飞凌的Sic碳化硅元件具有非常高的可靠性，原因如下： Sic碳化硅元件具有非常低的开关损耗和传导损耗，这使得它们能够通过相对平坦的RDS(on)与温度的依赖关系得到改善。CoolSiC™