英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块
2024-11-01英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用
QORVO全新碳化硅基氮化镓放大器可进一步降低电信基础设施成本
2024-10-29 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。 Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高频技术，GaN器件可以处理更高的功率;相比LDMOS等其他功率技
碳化硅肖特基二极管的优点及应用
2024-09-22碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。 它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： （1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。 （2）碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而
二极管的反向恢复及碳化硅二极管
2024-09-11一、二极管的反向恢复时间 ①举例理解 如上图，在二极管正极输入正负脉冲方波信号，理想二极管输出应该是高电平和低电平，但实际上二极管有一个反向恢复时间trr。 如上图，在电压从正向突然变成负向的瞬间，二极管会产生一个很大的反向电流，并且会维持一定的时间，之后反向电流会慢慢降低到漏电流，这时二极管才进入反向截止状态。 反向电流比较大的那段时间ts叫保持时间。缓慢衰减到漏电流的时间tt叫下降时间。ts+tt=trr，叫反向恢复时间。 ②反向恢复时间产生的原因 因为二极管是半导体器件，它是由一对PN结
STM意法半导体新碳化硅功率模块提升电动汽车的性能和续航里程
2024-07-302022年12月14日，中国 ---- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司STM意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)发布了可提高电动汽车性能和续航里程的大功率模块。意法半导体的新碳化硅 (SiC)功率模块已用在现代汽车公司的 E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚 EV6 等多款车型。 意法半导体新推出的五款基于碳化硅MOSFET的功率模块为车企提供了灵活的选择，涵盖了多个不同的额定功率，并支持电动汽车 (EV) 电驱系统常
安森美带您了解碳化硅（SiC）半导体
2024-07-29碳化硅半导体制造建立在现有的生产方法之上，但需要全新的工艺，用来提高产量和降低成本，保证在生产过程中每个阶段的最高质量。 让安森美(ON Semiconductor)碳化硅（SiC）从工艺制造技术的角度，带您走近碳化硅。 工业和汽车是中功率和大功率电子元器件的两个大市场。随着诸如IGBT的现有技术与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等技术相结合，工业、汽车和其他电气化趋势正在重塑其应用的领域，借助这种趋势，SiC二极管和MOSFET以及功率模块快速发展，使得以电机驱动和逆变器为主要构成的应用受
投资50亿,中国最大碳化硅材料基地投产
2024-06-28中国电科（山西）碳化硅材料产业基地举行投产仪式。 图片来源：中国电科 中国电科党组书记、董事长熊群力指出，中国电科（山西）电子信息科技创新产业园是中国电科围绕半导体材料、装备制造产业领域在晋的战略布局。 中国电科（山西）电子信息科技创新产业园项目包括“一个中心、三个基地”。“三个基地”即中国电科（山西）碳化硅材料产业基地、中国电科（山西）电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）能源产业基地。 此前有消息称，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅（SiC）材料供应基地。中国电
汽车芯片需求：碳化硅SiC近年不断倍增，汽车MCU芯片需要10nm？
2024-05-23据Yole称，电气化和高级驾驶辅助系统（ADAS）将推动半导体汽车芯片市场从2021年的441亿美元增长到2027年的807亿美元，复合年增长率（CAGR）为11.1%。 电气化将需要新的基板，如碳化硅，和碳化硅芯片的需求预计将达到110万在2027年。ADAS将使用微控制器单元（MCU芯片）单片机芯片与尖端的硅技术节点小到16nm/10nm。L4和L5车辆自主性将推动对动态随机存取存储器（DRAM）和计算能力的需求。这些重大的技术变革也在深刻地影响着当前的汽车供应链。 碳化硅SiC行业的参与
Wolfspeed半导体与奔驰合作碳化硅半导体组建，为其电动汽车提供动力
2024-05-22Wolfspeed半导体与奔驰合作碳化硅半导体组建，为其电动汽车提供动力 1月6日，Wolfspeed公司宣布与奔驰。Wolfspeed将为梅赛德斯-奔驰提供碳化硅组件，为其未来的电动汽车平台提供动力，并为其动力系统带来更高的效率。梅赛德斯-奔驰将在其部分汽车产品线的下一代动力总成系统之中使用Wolfspeed半导体。 梅赛德斯-奔驰采购与供应商质量负责人Gunnar Güthen ke博士表示:“我们两家公司长期以来一直保持着良好的技术合作关系。我们现在已经选择Wolfspeed作为我们未来
安森美与大众汽车新一代电动汽车的碳化硅(SiC)芯片技术达成合作
2024-05-18智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。 安森美onsemi将首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驱逆变器电源模块，作为协议的一部分。EliteSiC 电源模块具备引脚兼容特性，可轻松地将解决方案扩展到不